東芝、韓サムスン電子とNAND型メモリ技術の相互使用で合意
2007-12-04 Tue 18:12
東芝は12月3日、韓国のサムスン電子と、NAND型フラッシュメモリのインターフェイス仕様や商標について相互使用許諾で合意したと発表した。互いの仕様を共有し、それぞれの製品を生産・販売することで、ラインアップを強化。同時に携帯機器メーカーの需要に対応する。

 今回の合意では、東芝が同社のコントローラ内蔵の組み込んだ大容量のNAND型フラッシュメモリ「LBA-NAND」や「mobileLBA-NAND」のインターフェイス仕様や商標をサムスン電子に使用を許可する一方、サムスン電子が自社のNAND型メモリ「OneNAND」や「Flex-OneNAND」のインターフェイス仕様や商標について東芝の使用を許諾する。


 今後、東芝はサムスンの「OneNAND」や「Flex-OneNAND」、サムスン電子では東芝の「LBA-NAND」や「mobileLBA-NAND」の生産・販売していく。また、2社の仕様に沿った新型メモリを08年中に販売する計画。

東芝=http://www.toshiba.co.jp/
サムスン電子(日本)=http://www.samsung.com/jp/


BCN 2007.12.04.
http://www.computernews.com/DailyNews/2007/12/2007120405229085897A2020.htm
別窓 | 東芝 | コメント:0 | トラックバック:0 |
| IT・通信アンテナタワー | NEXT